技术
电子束、样品和探测器之间的几何位置关系是EBSD分析中一项重要的设置。优化几何设置有利于大多数应用获得最佳的结果。有时候需要对某些设置妥协,以满足不寻常的样品或特殊应用。
设置EBSD实验需要考虑的参数有:
这些参数可以在SEM上调整(例如,调整样品台位置),也可以调整EBSD探测器位置(伸入和退出。在Symmetry S2这类探测器上,还可以调整荧光屏的升高和降低)。下图总结了典型的EBSD设置中的这些参数。
关于如何调整这些参数,我们将分以下几点详细介绍。同时,我们还会介绍特殊的透射式EBSD——TKD的细节。
EBSD实验的几何设置相关参数的示意图。
历史上,EBSD实验曾经用70.5°的倾转角,因为在这个倾转角条件下,(100)单晶硅的<114>方向正好位于花样中心,很容易校正系统。
现代EBSD系统可以自动做几何位置的校正,而我们仍然沿用约70°的倾转角,原因有两点:
下面的照片显示了降低倾转角对花样的影响。请注意花样的信噪比随倾转角降低在降低,同时在花样下部出现衍射带的反衬度。
单晶Si在不同倾转角的衍射花样(左:70°;中:60°;右:50°)。
倾转角的设置可以由倾转SEM样品台至需要的值,或使用预倾台。如何选择,很大程度上取决于SEM和EBSD探测器相对于样品台倾斜轴的设置。倾转样品台的好处是,对大多数SEM来讲,样品可以在倾转的X-Y平面上移动,工作距离以及电子束、样品和EBSD的几何位置关系将保持不变。
最近有一些在低倾转角甚至水平几何位置采集EBSD的探索。早期研究表明,衬度反转带来了严重的问题,但是采用直接电子探测(DeD,Direct electron Detection)技术,结合电子能量过滤,可以弥补这一问题。即使如此,信噪比也非常低,因此需要极其高的电子剂量才能有效地用低倾转角进行分析。
工作距离是设置EBSD实验时,一项非常重要的要考虑的参数。主要是因为它会影响花样中心在EBSD荧光屏上的位置。
对大多数常规实验,在最佳的位置时,花样中心大约位于荧光屏上部¾位置。这也会受到电子束能量及要分析的材料原子序数的影响。
当选择最佳工作距离时,需要考虑以下因素的影响:
下图展示了工作距离从14.9 mm增加至22.5 mm时,EBSD花样质量的改变。在工作距离较短时,花样下部噪声较大;而当工作距离较长时,花样上部噪声较大。在这几个位置,EBSD仍然都能正确标定,但是当工作距离偏离最佳位置更多时,信号损失将更大,有可能影响标定。
铁素体的EBSD花样,采集自不同的工作距离,左:14.9 mm;中:18.9 mm;右:22.5 mm。花样中心的位置在图中标记为绿色十字。
当EBSD探测器安装好后,一般工程师会根据主机SEM的样品仓,为EBSD探测器的插入设置一个推荐的安全物理极限。完全插入的位置通常使得荧光屏离样品足够近,以获得大的立体角(>90°)。有赖于荧光屏的大小,探测器距离通常在15至30 mm。
通常把探测器完全伸入,用最小的探测器距离采集数据并不是最好的。对特定的应用,以下因素会影响决定探测器的最佳距离:
用EBSD荧光屏下方的FSD探测器采集的双相不锈钢的通道衬度像。左:探测器完全插入,信号主要反映样品制备的表面形貌;右:探测器退出10 mm,更多晶体取向衬度。
要成功地采集TKD,需要优化电子束、样品和探测器的几何设置。不像传统的EBSD,TKD分析时,样品一般水平放置,或者稍微倾转远离EBSD探测器。
理想的几何设置展示在标注了样品仓的右图中:
样品仓照片展示了理想的TKD分析几何设置